Steam or sand blasting machines

Description

Für die Herstellung von Multilayerschichtsystemen für den VIS und NIR- Bereich wird ein Abscheidesystem für die Abscheidung von dielektrischen Schichte mit einer hohen Beschichtungsrate und einer herausragenden Homogenität auf Wafern mit d=200 mm benötigt. Diese Systeme sollen als hochreflektierende Spiegel auf MOEMS-Bauelementen integriert werden. 1) Technische Anforderungen: — Verdampfungskammer mit Fronttür und Sichtfenster, — Substrataufnahme (Kalotte) für mindestens 8 Substrate (Wafer mit d=200 mm), — die manuelle Beladung soll ergonomisch und möglichst einfach gestaltet sein, um auch filigrane Wafer sicher handeln zu können. (Kein Über-Kopf-Handling, Realisierung beispielsweise mit herausfahrbarer Kalotte oder segmentierter Kalotte) — Mind. 2 Elektronenstrahlkanonen (1x für Metalle, 1x für Oxide), — Mind. 10 Tiegel, um verschiedene Verdampfungsmaterialien nutzen zu können, — Automatik-/Rezept-gesteuerte InSitu-Beschichtung von Schichtstapeln (z. B. Oxid1-Oxid2-Oxid1). Zu 1.: — Ionenstrahlquelle für Ionenstrahlassistiertes Verdampfen, — Thermische Verdampfungsquelle, — Shutter für alle Verdampfungsquellen, — Verteilungsblende(n) zur Optimierung der Schichtdickenhomogenität, — Schichtdickenmessung mittels Schwingquarz, — Optisches Monitoring System (Breitband) im Wellenlängenbereich 300 – 1 100 nm, 5 nm Auflösung zur InSitu-Monitorierung von Schichtdicken und InSitu-Rezeptanpassung während der Beschichtung. 2) Optionale Anforderungen — Automatisches Handlingssystem (Kassette-zu-Kassette), geeignet für 8” Standard SEMI Kassetten Typ „DMS 780-550000005“ Hier ist insbesondere vom Anbieter zu prüfen, ob das Handlingssystem auch für filigrane Wafer mit Gruben/Löchern und für den Einsatz von Schattenmasken geeignet ist. Manuelles Beladen der Anlage sollte trotzdem möglich sein. — Option funkgesteuerte Multi-Shutter-Kalotte für die Teil-Beschichtung von Multi-Layer-Stacks in einem Run. 3) Technologische Anforderungen — Verdampfen von Al mit hoher und niedriger Rate, — Verdampfen von SiO2, TiO2, Ta2O5 und Schichtstapeln basierend auf diesen Materialien, — Gute Homogenität (<3 %) und Reproduzierbarkeit Wafer-zu-Wafer und Los-zu-Los (<1 %), — Die Anlage soll prinzipiell in der Lage sein, auch weitere Metalle, Oxide (z. B. Nb2O5) und Flouride verdampfen zu können.